搭載USHIO長年發展的光源及光學技術的Mask Aligner。可對應ihg波長及Deep UV波長領域的曝光裝置。
【技術要點】・搭載世界市占率No.1的超高壓ＵＶLamp・USHIO設計的高均一度光學系統
U 高解像力亦最高解像力Line & Space = 1um(真空hard contact)。以下稱(L/S)Proximity曝光、Print Gap 20um時，實現L/S 3um的高解像力。此外工作臺面的高平坦性，良好的Gap安定性，也提供好的曝光線寬安定性表現。
U 實現高精度對位重合精度：正面對位±1um、背面對位±1.5um。可對應各種基板材料(Silicon、GaAs、Sapphire、Crystal等)及各種對位靶點，提供最適當的照明及畫像處理軟體技術，實現高精度對位。
